AvalanchePhotodiode相关论文
Linearity is a very important parameter to measure the performance of avalanche photodiodes[APDs]under high input optica......
Silicon photonics technology has drawn significant interest due to its potential for compact and high-performance photon......
Understanding detailed avalanche mechanisms is critical for design optimization of avalanche photodiodes[APDs].In this w......
本文报道了一种在倍增区引入带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩光电探测器.将Al0.4Ga0.As-Al0.2Ga0.8As - GaAs梯度结构置于探测器的......
AlGaN alloys are the most promising materials for ultraviolet (UV) detection in the solar-blind (200-290 nm) region.[1] ......
无源光网络(PON)通常采用二进制非归零码(NRZ)调制技术，该技术存在如下缺点：系统的频谱效率最低，对无源光网络中相邻射频(RF)电视信道......
InGaAs／InP雪崩二极管(APD)可用于探测光通讯波段的单光子。APD工作于门模盖革模式时,单个光子引起的雪崩电流信号通常淹没在电容瞬......
Understanding detailed avalanche mechanisms is critical for design optimization of avalanche photodiodes (APDs). In this......
采用固态结构的雪崩光电二极管，利用其工作在盖革模式下的单光子探测能力，构建了光子计数成像实验系统。通过实验验证，该系统在10-3lx......
利用Zn扩散方法制备了倍增层厚度为1.5,1.0,0.8 μm的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APDs),研究了该器件特性。随着倍增层厚度......
针对恒虚警工作方式下, 噪声、信号及倍增因子之间相互作用的问题, 分析了倍增因子、背景辐射对APD探测系统性能的影响以及恒虚警......
在使用时间关联单光子计数的量子保密通信、量子密码术等量子光学领域中,雪崩光电二极管（APD）拥有广泛的应用。然而在其工作过程中,......
